MOSFET结构制造MOSFET器件的挑战在于，需要通过施加在绝缘栅极上电压的影响，将半导体材料的极性反转，从而在源极和漏极之间形成一个导电沟道。现在有几种方法可以实现，通过单元晶胞结构横截面可以很好地说明这个过程，如图3.11所示:图3.11 单个N沟道MOSFET的晶胞横截面及其电气原理图符号可以看到，漏极金属接触在图中右上方的n+区域，并且穿过它到达横向延伸穿过整个单元的n区域...
2021-06-15
半导体开关器件半导体开关器件是开关电源的核心器件。它是实现电源功率转换的必要器件，并且已经过几十年的发展，涌现出了各种各样的技术。这些器件多年来一直在发展并且仍在继续不断朝着更好的方向发展，要注意的是，这里所说的任何技术都可能被未来的创新所取代。考虑到这个因素，图3.10是当前的主要的功率变换开关器件的列表，以及一些简 单的特性比较:图3.10 半导体功率开关的主要类型和重要特性双极...
2021-06-11
